消息称三星电子正为英伟达开发定制 8Hi HBM：17~18Gbps 高速设计

韩媒报道，三星电子正为英伟达开发定制 HBM 内存，采用 8 层低堆叠设计，支持 17~18Gbps 高引脚速率。此前三星出样的 HBM4E 内存支持至高 16Gbps。低堆叠设计可减少 DRAM Die 用量、提升良率，更高速率则有助于化解 AI 加速器的"内存墙"问题。