消息称长鑫存储开始试产 HBM3E 内存，有望数周内大规模量产

长鑫存储已启动 HBM3E 内存的风险试产，计划到今年年底将 DRAM 月产能提升至 35 万片晶圆。按 JEDEC 规范，HBM3E 采用 1024-bit 位宽，典型配置下总带宽可达 1.2TB/s，8 层堆叠容量为 24GB、12 层堆叠为 36GB。凭借此前从风险试产快速过渡到量产的能力，其 HBM3E 有望在数周内进入大规模量产阶段。