杭州镓仁半导体全球首次实现 12 英寸氧化镓晶体等径生长

杭州镓仁半导体基于自研 SCIENCE 系列 VB 法长晶设备，全球首次实现 12 英寸氧化镓晶体等径生长。等径段越厚，单根晶锭可切出的合格衬底片越多，单片衬底成本越低；12 英寸氧化镓衬底与主流硅产线兼容度高，可降低下游设备投资和产线切换成本。今年 3 月，该公司已实现全球首次 8 英寸氧化镓同质外延生长。