消息称三星晶圆代工考虑扩大 4nm、2nm 产能，应对 HBM Base Die 需求

韩媒 MONEYTODAY 报道称，三星电子晶圆代工业务正考虑新建 4nm 与 2nm 生产线，以扩大这两个制程节点的制造能力，应对 HBM 内存对先进基础裸片（Base Die）的旺盛需求。三星存储器业务已确认 HBM4 （E） 世代使用 4nm Base Die，HBM5 将升级到 2nm Base Die；此前其晶圆代工已将半数 4nm 产能用于 HBM4 Base Die 生产。