消息称三星电子首代亚 10nm 级 DRAM 将采用混合键合结构

三星电子调整先进内存技术路线图，首代亚 10nm 级 DRAM 将采用混合键合结构。该节点原计划用于 4F2 VCT 垂直通道晶体管方案，现由混合键合的 "B1b" 节点扶正为新的 "D0a"，4F2 VCT 方案代号调整为 "D0a-V"。新版 "D0a" 将在不同晶圆上分别制造存储阵列和外围电路，再以 W2W 混合键合结合，该工艺已在 3D NAND 上广泛应用。